STB11NM60N-1
অনুরোধ মূল্য এবং সীসা সময়
STB11NM60N-1 উপলব্ধ, আমরা STB11NM60N-1 সরবরাহ করতে পারি, STB11NM60N-1 pirce এবং সীসা সময় অনুরোধ করতে অনুরোধ উদ্ধৃতি ফর্ম ব্যবহার করুন।Atosn.com একটি পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান ডিস্ট্রিবিউটর.আমাদের বিশাল তালিকা রয়েছে এবং দ্রুত ডেলিভারি করতে পারি, আমাদের সাথে আজই যোগাযোগ করুন এবং আমাদের বিক্রয় প্রতিনিধি আপনাকে পার্ট # STB11NM60N-1 তে দাম এবং চালানের বিশদ সরবরাহ করবে। আপনার দেশের সাথে মেলে শুল্ক ছাড়ের বিষয়গুলি অন্তর্ভুক্ত করুন, আমাদের পেশাদার বিক্রয় দল রয়েছেএবং প্রযুক্তিগত দল, আমরা আপনার সাথে কাজ করার জন্য উন্মুখ।
অনুরোধ উদ্ধৃতি
পণ্য পরামিতি
- Vgs (ত) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
- 4V @ 250µA
- Vgs (সর্বোচ্চ)
- ±25V
- প্রযুক্তি
- MOSFET (Metal Oxide)
- সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
- I2PAK
- ক্রম
- MDmesh™ II
- আরডিএস অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিএসএস
- 450 mOhm @ 5A, 10V
- শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
- 90W (Tc)
- প্যাকেজিং
- Tube
- প্যাকেজ / কেস
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- অপারেটিং তাপমাত্রা
- 150°C (TJ)
- মাউন্ট টাইপ
- Through Hole
- আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল)
- 1 (Unlimited)
- লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS অবস্থা
- Lead free / RoHS Compliant
- ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স (সিস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস
- 850pF @ 50V
- গেট চার্জ (QG) (সর্বোচ্চ) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- FET প্রকার
- N-Channel
- FET বৈশিষ্ট্য
- -
- ড্রাইভ ভোল্টেজ (উপর Max Rds, উপর Min Rds)
- 10V
- উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss)
- 600V
- বিস্তারিত বিবরণ
- N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
- বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস
- 10A (Tc)
একই পণ্য
- STMicroelectronics STB11NM60N-1
- STB11NM60N-1 ডেটা শীট
- STB11NM60N-1 ডেটাশিট
- STB11NM60N-1 পিডিএফ ডেটাশিট
- STB11NM60N-1 ডেটাশিটটি ডাউনলোড করুন
- STB11NM60N-1 চিত্র
- STB11NM60N-1 অংশ
- ST STB11NM60N-1
- STMicroelectronics STB11NM60N-1